mos測(cè)試需要了解哪些(mos認(rèn)證考試主要考些什么)

1.mos認(rèn)證考試主要考些什么

1、MOS都是在線考試，需要到MOS指定的考點(diǎn)進(jìn)行考試。

MOS采取隨報(bào)隨考的方式，報(bào)名時(shí)可以選定考試時(shí)間。 2、在線考試的過程中如果出現(xiàn)網(wǎng)絡(luò)或機(jī)器問題造成無法進(jìn)行考試，可以立即聯(lián)系監(jiān)考老師，服務(wù)器上會(huì)記錄你已經(jīng)答完的試題，重啟機(jī)器或換機(jī)器可以繼續(xù)考試。

3、Mos 專業(yè)級(jí)Specialist（初級(jí)）包括Word Specialist、Excel Specialist、PowerPoint Specialist、Access Specialist、Outlook Specialist共五門。題型全部是實(shí)際操作題，與教材上題型相同。

常見題目如下：文檔中插入圖形、設(shè)置共享、制作宏、郵件合并等等，題目不是很難，只要認(rèn)真地將教材上的全部習(xí)題做完，一定可以通過考試。

2.MOS管到底怎么測(cè)

對(duì)于一只型號(hào)標(biāo)示不清或無標(biāo)志的三極管，要想分辨出它們的三個(gè)電極，也可用萬用表測(cè)試。

先將萬用表量程開關(guān)撥在R*100或R*1k電阻擋上。紅表筆任意接觸三極管的一個(gè)電極，黑表筆依次接觸另外兩個(gè)電極，分別測(cè)量它們之間的電阻值，若測(cè)出均為幾百歐低電阻時(shí)，則紅表筆接觸的電極為基極b，此管為PNP管。

若測(cè)出均為幾十至上百千歐的高電阻時(shí)，則紅表筆接觸的電極也為基極b，此管為NPN管。 在判別出管型和基極b的基礎(chǔ)上，利用三極管正向電流放大系數(shù)比反向電流放大系數(shù)大的原理確定集電極。

任意假定一個(gè)電極為c極，另一個(gè)電極為e極。將萬用表量程開關(guān)撥在R*1k電阻擋上。

對(duì)于：PNP管，令紅表筆接c極，黑表筆接e極，再用手同時(shí)捏一下管子的b、c極，但不能使b、c兩極直接相碰，測(cè)出某一阻值。然后兩表筆對(duì)調(diào)進(jìn)行第二次測(cè)量，將兩次測(cè)的電阻相比較，對(duì)于：PNP型管，阻值小的一次，紅表筆所接的電極為集電極。

對(duì)于NPN型管阻值小的一次，黑表筆所接的電極為集電極！ 查看原帖>>。

3.MOS管用數(shù)字萬用表怎么測(cè)其好壞及引腳

用數(shù)字萬用表測(cè)量MOS管好壞及引腳的方法：以N溝道MOS場(chǎng)效應(yīng)管為例。

一、先確定MOS管的引腳：1、先對(duì)MOS管放電，將三個(gè)腳短路即可；1、首先找出場(chǎng)效應(yīng)管的D極（漏極）。對(duì)于TO-252、TO-220這類封裝的帶有散熱片的場(chǎng)效應(yīng)管，它們的散熱片在內(nèi)部是與管子的D極相連的，故我們可用數(shù)字萬用表的二極管檔測(cè)量管子的各個(gè)引腳，哪個(gè)引腳與散熱片相連，哪個(gè)引腳就是D極。

2、找到D極后，將萬用表調(diào)至二極管檔；3、用黑表筆接觸管子的D極，用紅表筆分別接觸管子的另外兩個(gè)引腳。若接觸到某個(gè)引腳時(shí)，萬用表顯示的讀數(shù)為一個(gè)硅二極管的正向壓降，那么該引腳即為S極（源極），剩下的那個(gè)引腳即為G極（柵極）。

二、MOS管好壞的測(cè)量：1、當(dāng)把紅表筆放在S極上，黑表筆放在D極上，可以測(cè)出來這個(gè)導(dǎo)通壓降，一般在0.5 V左右為正常；2、G腳測(cè)量，需要先對(duì)G極充下電，把紅表筆放在G極，黑表筆放在S極；3、再次把紅表筆放在S極上，黑表筆放在D極上，可以測(cè)出來這個(gè)放大壓降，一般在0.3 V左右為正常；擴(kuò)展資料 MOS管的主要參數(shù)1、開啟電壓VT 開啟電壓（又稱閾值電壓）：使得源極S和漏極D之間開始形成導(dǎo)電溝道所需的柵極電壓；標(biāo)準(zhǔn)的N溝道MOS管，VT約為3~6V；通過工藝上的改進(jìn)，可以使MOS管的VT值降到2~3V。2、直流輸入電阻RGS 即在柵源極之間加的電壓與柵極電流之比 這一特性有時(shí)以流過柵極的柵流表示 MOS管的RGS可以很容易地超過1010Ω。

3.、漏源擊穿電壓BVDS 在VGS=0（增強(qiáng)型）的條件下 ，在增加漏源電壓過程中使ID開始劇增時(shí)的VDS稱為漏源擊穿電壓BVDS ID劇增的原因有下列兩個(gè)方面：（1）漏極附近耗盡層的雪崩擊穿；（2）漏源極間的穿通擊穿；有些MOS管中，其溝道長度較短，不斷增加VDS會(huì)使漏區(qū)的耗盡層一直擴(kuò)展到源區(qū)，使溝道長度為零，即產(chǎn)生漏源間的穿通，穿通后，源區(qū)中的多數(shù)載流子，將直接受耗盡層電場(chǎng)的吸引，到達(dá)漏區(qū)，產(chǎn)生大的ID。4、柵源擊穿電壓BVGS 在增加?xùn)旁措妷哼^程中，使柵極電流IG由零開始劇增時(shí)的VGS，稱為柵源擊穿電壓BVGS。

5、低頻跨導(dǎo)gm 在VDS為某一固定數(shù)值的條件下 ，漏極電流的微變量和引起這個(gè)變化的柵源電壓微變量之比稱為跨導(dǎo)；gm反映了柵源電壓對(duì)漏極電流的控制能力，是表征MOS管放大能力的一個(gè)重要參數(shù) 一般在十分之幾至幾mA/V的范圍內(nèi)6、導(dǎo)通電阻RON 導(dǎo)通電阻RON說明了VDS對(duì)ID的影響 ，是漏極特性某一點(diǎn)切線的斜率的倒數(shù) 在飽和區(qū)，ID幾乎不隨VDS改變，RON的數(shù)值很大，一般在幾十千歐到幾百千歐之間 由于在數(shù)字電路中 ，MOS管導(dǎo)通時(shí)經(jīng)常工作在VDS=0的狀態(tài)下，所以這時(shí)的導(dǎo)通電阻RON可用原點(diǎn)的RON來近似 ·對(duì)一般的MOS管而言，RON的數(shù)值在幾百歐以內(nèi)7、極間電容 三個(gè)電極之間都存在著極間電容：柵源電容CGS 、柵漏電容CGD和漏源電容CDS CGS和CGD約為1~3pF,CDS約在0.1~1pF之間8、低頻噪聲系數(shù)NF 噪聲是由管子內(nèi)部載流子運(yùn)動(dòng)的不規(guī)則性所引起的。·由于它的存在，就使一個(gè)放大器即便在沒有信號(hào)輸人時(shí)，在輸出端也出現(xiàn)不規(guī)則的電壓或電流變化 噪聲性能的大小通常用噪聲系數(shù)NF來表示，它的單位為分貝（dB）。

這個(gè)數(shù)值越小，代表管子所產(chǎn)生的噪聲越小 低頻噪聲系數(shù)是在低頻范圍內(nèi)測(cè)出的噪聲系數(shù) 場(chǎng)效應(yīng)管的噪聲系數(shù)約為幾個(gè)分貝，它比雙極性三極管的要小。