原子吸收分光光度計的干擾及消除方法
(1)物理干擾物理干擾是指試樣在轉(zhuǎn)移、蒸發(fā)過程中任何物理因素變化而引起的干擾效應。屬于這類干擾的因素有:試液的粘度、溶劑的蒸汽壓、霧化氣體的壓力等。物理干擾是非選擇性干擾,對試樣各元素的影響基本是相似的。 配制與被測試樣相似的標準樣品,是消除物理干擾的常用的方法。在不知道試樣組成或無法匹配試樣時,可采用標準加入法或稀釋法來減小和消除物理干擾。
(2)化學干擾化學干擾是指待測元素與其它組分之間的化學作用所引起的干擾效應,它主要影響待測元素的原子化效率,是原子吸收分光光度法中的主要干擾來源。它是由于液相或氣相中被測元素的原子與干擾物質(zhì)組成之間形成熱力學更穩(wěn)定的化合物,從而影響被測元素化合物的解離及其原子化。 消除化學干擾的方法有:化學分離;使用高溫火焰;加入釋放劑和保護劑;使用基體改進劑等。
(3)電離干擾在高溫下原子電離,使基態(tài)原子的濃度減少,引起原子吸收信號降低,此種干擾稱為電離干擾。電離效應隨溫度升高、電離平衡常數(shù)增大而增大,隨被測元素濃度增高而減小。加入更易電離的堿金屬元素,可以有效地消除電離干擾。
(4)光譜干擾光譜干擾包括譜線重疊、光譜通帶內(nèi)存在非吸收線、原子化池內(nèi)的直流發(fā)射、分子吸收、光散射等。當采用銳線光源和交流調(diào)制技術時,前3種因素一般可以不予考慮,主要考慮分子吸收和光散射地影響,它們是形成光譜背景的主要因素。
(5)分子吸收干擾分子吸收干擾是指在原子化過程中生成的氣體分子、氧化物及鹽類分子對輻射吸收而引起的干擾。光散射是指在原子化過程中產(chǎn)生的固體微粒對光產(chǎn)生散射,使被散射的光偏離光路而不為檢測器所檢測,導致吸光度值偏高。
抗干擾:用來對抗通訊或雷達運行的任何干擾的系統(tǒng)或技術 。
學術定義:(1)抗干擾的定義是:結(jié)合電路的特點使干擾減少到最小。(2)所謂抗干擾:是指設備能夠防止經(jīng)過天線輸入端,設備的外殼以及沿電源線作用于設備的電磁干擾。
措施 抗干擾措施的基本原則是:抑制干擾源,切斷干擾傳播路徑,提高敏感器件的抗干擾性能。1、抑制干擾源 抑制干擾源就是盡可能的減小干擾源的du/dt,di/dt。
這是抗干擾設計中最優(yōu)先考慮和最重要的原則,常常會起到事半功倍的效果。減小干擾源的du/dt主要是通過在干擾源兩端并聯(lián)電容來實現(xiàn)。
減小干擾源的di/dt則是在干擾源回路串聯(lián)電感或電阻以及增加續(xù)流二極管來實現(xiàn)。抑制干擾源的常用措施如下:⑴繼電器線圈增加續(xù)流二極管,消除斷開線圈時產(chǎn)生的反電動勢干擾。
僅加續(xù)流二極管會使繼電器的斷開時間滯后,增加穩(wěn)壓二極管后繼電器在單位時間內(nèi)可動作更多的次數(shù)。⑵在繼電器接點兩端并接火花抑制電路(一般是RC串聯(lián)電路,電阻一般選幾K到幾十K,電容選0.01uF),減小電火花影響。
⑶給電機加濾波電路,注意電容、電感引線要盡量短。⑷電路板上每個IC要并接一個0.01μF~0.1μF高頻電容,以減小IC對電源的影響。
注意高頻電容的布線,連線應靠近電源端并盡量粗短,否則,等于增大了電容的等效串聯(lián)電阻,會影響濾波效果。⑸布線時避免90度折線,減少高頻噪聲發(fā)射。
⑹可控硅兩端并接RC抑制電路,減小可控硅產(chǎn)生的噪聲(這個噪聲嚴重時可能會把可控硅擊穿的)。2、切斷干擾傳播路徑的常用措施 ⑴充分考慮電源對單片機的影響。
電源做得好,整個電路的抗干擾就解決了一大半。許多單片機對電源噪聲很敏感,要給單片機電源加濾波電路或穩(wěn)壓器,以減小電源噪聲對單片機的干擾。
比如,可以利用磁珠和電容組成π形濾波電路,當然條件要求不高時也可用100Ω電阻代替磁珠。⑵如果單片機的I/O口用來控制電機等噪聲器件,在I/O口與噪聲源之間應加隔離(增加π形濾波電路)。
控制電機等噪聲器件,在I/O口與噪聲源之間應加隔離(增加π形濾波電路)。⑶注意晶振布線。
晶振與單片機引腳盡量靠近,用地線把時鐘區(qū)隔離起來,晶振外殼接地并固定。此措施可解決許多疑難問題。
⑷電路板合理分區(qū),如強、弱信號,數(shù)字、模擬信號。盡可能把干擾源(如電機,繼電器)與敏感元件(如單片機)遠離。
⑸用地線把數(shù)字區(qū)與模擬區(qū)隔離,數(shù)字地與模擬地要分離,最后在一點接于電源地。A/D、D/A芯片布線也以此為原則,廠家分配A/D、D/A芯片引腳排列時已考慮此要求。
⑹單片機和大功率器件的地線要單獨接地,以減小相互干擾。大功率器件盡可能放在電路板邊緣。
⑺在單片機I/O口,電源線,電路板連接線等關鍵地方使用抗干擾元件如磁珠、磁環(huán)、電源濾波器,屏蔽罩,可顯著提高電路的抗干擾性能。⒊提高敏感器件的抗干擾性能 提高敏感器件的抗干擾性能是指從敏感器件這邊考慮盡量減少對干擾噪聲的拾取,以及從不正常狀態(tài)盡快恢復的方法。
提高敏感器件抗干擾性能的常用措施如下:⑴布線時盡量減少回路環(huán)的面積,以降低感應噪聲。⑵布線時,電源線和地線要盡量粗。
除減小壓降外,更重要的是降低耦合噪聲。⑶對于單片機閑置的I/O口,不要懸空,要接地或接電源。
其它IC的閑置端在不改變系統(tǒng)邏輯的情況下接地或接電源。⑷對單片機使用電源監(jiān)控及看門狗電路,如:IMP809,IMP706,IMP813,X25043,X25045等,可大幅度提高整個電路的抗干擾性能。
⑸在速度能滿足要求的前提下,盡量降低單片機的晶振和選用低速數(shù)字電路。⑹IC器件盡量直接焊在電路板上,少用IC座。
4、軟件方面 ⑴我習慣于將不用的代碼空間全清成"0",因為這等效于NOP,可在程序跑飛時歸位; ⑵在跳轉(zhuǎn)指令前加幾個NOP,目的同1; ⑶在無硬件WatchDog時可采用軟件模擬WatchDog,以監(jiān)測程序的運行; ⑷涉及處理外部器件參數(shù)調(diào)整或設置時,為防止外部器件因受干擾而出錯可定時將參數(shù)重新發(fā)送一遍,這樣可使外部器件盡快恢復正確;⑸通訊中的抗干擾,可加數(shù)據(jù)校驗位,可采取3取2或5取3策略; ⑹在有通訊線時,如I^2C、三線制等,實際中我們發(fā)現(xiàn)將Data線、CLK線、INH線常態(tài)置為高,其抗干擾效果要好過置為低。5、硬件方面 ⑴地線、電源線的布線肯定重要了?、凭€路的去耦; ⑶數(shù)、模地的分開; ⑷每個數(shù)字元件在地與電源之間都要104電容; ⑸在有繼電器的應用場合,尤其是大電流時,防繼電器觸點火花對電路的干擾,可在繼電器線圈間并一104和二極管,在觸點和常開端間接472電容,效果不錯?、蕿榉繧/O口的串擾,可將I/O口隔離,方法有二極管隔離、門電路隔離、光偶隔離、電磁隔離等; ⑺當然多層板的抗干擾肯定好過單面板,但成本卻高了幾倍。
⑻選擇一個抗干擾能力強的器件比之任何方法都有效,我想這點應該最重要。因為器件天生的不足是很難用外部方法去彌補的,但往往抗干擾能力強的就貴些,抗干擾能力差的就便宜,正如臺灣的東東便宜但性能卻大打折扣一樣!主要看各位的應用場合了!實現(xiàn)辦法 ⒈干擾現(xiàn)象分析 干擾成因:現(xiàn)有的國內(nèi)衛(wèi)星廣播電視系統(tǒng)普遍采用的是透明轉(zhuǎn)發(fā)器和單波束賦形。
DNA/RNA吸收光譜峰在260 nm處,據(jù)計算,測定此波長下DNA溶液的OD值,當OD260=1時,雙鏈DNA含量約為50 μg/ml ,單鏈DNA與RNA含量為40 μg/ml ,寡核甘酸的含量為33 μg/ml ,據(jù)此可用紫外分光光度計測定溶液中DNA或RNA的含量。
由于蛋白質(zhì)的吸收峰在280 nm處,在測定 DNA或RNA含量時,還常計算 OD260/ OD280 之值,如該值為 1.8~2.0時,認為已達到較高的純度,如低于此值,表明其內(nèi)含雜質(zhì)較多。測量RNA時,DNA的影響無法校正。
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